• Sections
  • G - Physique
  • G11C - Mémoires statiques
  • G11C 11/405 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c. à d. cellules dynamiques avec régénération de la charge commune à plusieurs cellules de mémoire, c. à d. rafraîchissement externe avec trois portes à transfert de charges, p.ex. transistors MOS, par cellule

Détention brevets de la classe G11C 11/405

Brevets de cette classe: 256

Historique des publications depuis 10 ans

18
16
16
19
28
24
27
24
18
9
2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024

Propriétaires principaux

Proprétaire
Total
Cette classe
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
10902
187
Micron Technology, Inc.
24960
12
R&D 3 LLC
16
8
Zeno Semiconductor, Inc.
236
6
Samsung Electronics Co., Ltd.
131630
5
Sharp Kabushiki Kaisha
18957
5
Bar-Ilan University
405
4
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
36809
3
Lodestar Licensing Group LLC
583
3
Qualcomm Incorporated
76576
2
International Business Machines Corporation
60644
2
Renesas Technology Corp.
186
2
Kepler Computing Inc.
221
2
National Yang Ming Chiao Tung University
245
2
Toshiba Corporation
12017
1
Intel Corporation
45621
1
Renesas Electronics Corporation
6305
1
Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives
10525
1
Chungbuk National University Industry-Academic Cooperation Foundation
205
1
GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc.
6459
1
Autres propriétaires 7